水處理劑之凝聚與隨后的分散作用

  形成垢層的碳酸鈣、硫酸鈣、磷酸鈣等小晶體質(zhì)點，在成垢過程中首先需要在水溶液中不斷相互碰撞，并按嚴(yán)格的晶格次序排列，由晶核逐步成長為大晶體;若晶核(或小晶體質(zhì)點）與金屬傳熱面不斷碰撞，也可在金屬表面按晶格次序排列生長而形成垢層。

  陰離子型阻垢劑在水溶液屮可以解離成負(fù)離子，聚丙烯酸負(fù)離子與水溶液中的碳酸鈣微晶體碰撞時，首先發(fā)生物理吸附和化學(xué)吸附過程，吸附的結(jié)果使微晶體表面形成了一個雙電層。

  當(dāng)一個聚丙烯酸負(fù)離子和兩個或多個碳酸鈣等微晶體吸附時,可以使這些微晶體帶上相同的電荷，它們之間就有了靜電斥力，從而阻礙了它們之間的碰撞和形成大晶體，也阻障了它們和金屬傳熱面之間的碰撞和形成垢層。這就是聚丙烯酸負(fù)離子對晶體粒子的凝聚作用，凝聚作用使得水溶液中的微晶體吸附在聚丙烯酸分子的鏈上，也就是把有成垢可能的微晶體在一定程度上聚集起來。

  當(dāng)這種吸附產(chǎn)物又碰到其他聚丙烯酸分子時，或者說吸附產(chǎn)物擴(kuò)散到聚丙烯酸相對濃度比較高的區(qū)域時，還會把已吸附的粒子交給其他聚丙烯酸分子，最終呈現(xiàn)出平均分散的狀況。這就是聚丙烯酸負(fù)離子對晶體粒子凝聚作用后的分散作用。

  這種凝聚和隨后的分散作用，就使得有成垢可能的微晶體穩(wěn)定地懸浮在水溶液中，既阻礙了晶體粒子彼此間的碰撞，也阻礙了晶體粒子和金屬表面的碰撞，這樣也就抑制了垢層的增長。這種作用相應(yīng)地減少了垢層形成所需要的晶核數(shù)目，也降低了碳酸鈣的結(jié)晶速度，并使這些晶體保持在非常小的顆粒狀態(tài)，擴(kuò)大了晶體與水的接觸面，從而提高了晶體的溶解性能。